STP180N4F6

STMicroelectronics
511-STP180N4F6
STP180N4F6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 packag

Modelo ECAD:
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.344 $2.344
$1.152 $11.520
$1.004 $100.400
$824 $412.000
$773 $773.000
$753 $1.506.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
130 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STP180N4F6
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99