STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
Hoja de datos
2.940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel