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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Selección de ficha Imagen Fabricante = STMicroelectronics

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
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STL260N4LF7

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511-STL260N4LF7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
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$2.038

$1.300

$878

$699

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$559

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

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105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1: $1.881
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STL110N4F7AG

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$1.881

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$796

$652

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

108 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL260N4F7
STMicroelectronics
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511-STL260N4F7

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

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1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
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511-STL13N60M6

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$2.560

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

415 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
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STL10N60M6

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511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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$2.324

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

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STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
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STL117N4LF7AG

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STMicroelectronics

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$874

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27.6 nC

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94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power

STL225N6F7AG
STMicroelectronics
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9.036En existencias

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STL225N6F7AG

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511-STL225N6F7AG

STMicroelectronics

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

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1 Channel

60 V

120 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

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98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: $3.151
1.212En existencias

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STL115N10F7AG

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511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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$1.438

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$985

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N65M2
STMicroelectronics
1: $2.107
3.000Se espera el 23-03-2026

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STL10N65M2

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511-STL10N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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3.000Se espera el 23-03-2026

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$2.107

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$913

$728

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$591

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

4.5 A

1 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL18N60M6
STMicroelectronics
3.000: $1.251
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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STL18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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$1.251

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

308 mOhms

- 20 V, 20 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

STL19N3LLH6AG
STMicroelectronics
3.000: $398
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL19N3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL19N3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

$398

$391

$384

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Mult.: 3.000

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL22N60M6
STMicroelectronics
3.000: $1.014
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL22N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL22N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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$1.014

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SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL12N60M6
STMicroelectronics
3.000: $706
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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$706

$695

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Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

6.4 A

490 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

12.3 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M6
STMicroelectronics
3.000: $1.093
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Envase tipo carrete

$1.093

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel

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