Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
FF1400R23T2E7PB5BPSA1
Infineon Technologies
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Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
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Tarjetas de memoria Industrial Compact Flash Card, C-500, 8 GB, SLC Flash, 0C to +70C
SFCF008GH1AF2TO-C-MS-537-STD
Swissbit
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Tarjetas de memoria Industrial Compact Flash Card, C-500, 8 GB, SLC Flash, 0C to +70C
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
AHV85043K18ESTR
Allegro MicroSystems
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
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Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
SNXH800H120L7QDSG
onsemi
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Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3
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Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA020V120E5
APC-E
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Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
C4D40120D
Wolfspeed
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Wolfspeed
Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
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Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA030V120E5
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Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
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Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA040V120E5
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Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
FF300R12KS4
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Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
CSD87330Q3D
Texas Instruments
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Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
SCS240KE2HRC11
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2HRC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSO220N03MDGXUMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
896.971 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,115
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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$132
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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$188
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
55.706 En existencias
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Chile
