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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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STL24N60M2
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STL36N55M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

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STL22N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5

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$5.589

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MDmesh

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STL47N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

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STL31N65M5

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511-STL31N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

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$5.488

$3.640

$2.744

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125 W

Enhancement

MDmesh

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STL26NM60N
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STL26NM60N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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$5.746

$4.088

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$3.214

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PowerFLAT-8x8-HV-5

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3 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

STL13NM60N
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1: $3.797
2.235En existencias

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STL13NM60N

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511-STL13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

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$3.797

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$1.198

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10 A

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- 25 V, 25 V

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90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: $5.354
1.617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

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511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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$5.354

$3.539

$2.766

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$1.926

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21.5 A

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- 25 V, 25 V

3 V

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+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL19N60M2
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3.000: $1.096
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STL19N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL19N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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$1.096

$1.088

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

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600 V

11 A

278 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60M6
STMicroelectronics
3.000: $1.389
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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$1.389

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

209 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N65M2
STMicroelectronics
3.000: $1.057
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL24N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Envase tipo carrete

$1.057

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

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29 nC

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125 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8

STL25N60M2-EP
STMicroelectronics
3.000: $1.322
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL25N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STL25N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8

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$1.322

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

206 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N65M2
STMicroelectronics
3.000: $2.128
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

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$2.128

Min.: 3.000
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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

124 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

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150 W

Enhancement

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh

STL45N65M5
STMicroelectronics
3.000: $3.584
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

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STL45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL45N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

$3.584

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PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

1 Channel

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MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL26N60DM6
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Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

215 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV

STL36N60M6
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STL36N60M6

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511-STL36N60M6

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Soporte

61 mOhms
75 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
115 mOhms
124 mOhms
135 mOhms
160 mOhms
162 mOhms
175 mOhms
186 mOhms
195 mOhms
206 mOhms
209 mOhms
210 mOhms
215 mOhms
250 mOhms
278 mOhms