STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
Hoja de datos
9.982En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
Hoja de datos
1.555En existencias
6.000Se espera el 20-04-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V, 48mOhms, 4A, STripFET H6 Power MOSFET
Hoja de datos
6.488En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V
Hoja de datos
3.274En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa
Hoja de datos
105.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel