Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
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Si
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Si
105 V
100 mOhms
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Si
105 V
100 mOhms
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450 W
+ 225 C
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941-PTVA104501EH1R2
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Si
105 V
100 mOhms
960 MHz to 1.215 GHz
17.5 dB
450 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-33288-2
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Si
105 V
1.4 Ohms
500 MHz to 1.4 GHz
18 dB
25 W
+ 225 C
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H-36265-2
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PTVA120501EA-V1-R0
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941-PTVA120501EA1R0
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Si
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105 V
400 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
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PTVA120501EA-V1-R250
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N-Channel
Si
50 mA
105 V
400 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
17 dB
50 W
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H-36265-2
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PTVA123501EC-V2-R0
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Si
150 mA
105 V
100 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
17 dB
350 W
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H-36248-2
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941-PTVA123501EC2R2
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N-Channel
Si
150 mA
105 V
100 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
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350 W
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H-36248-2
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PTVA123501FC-V1-R0
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941-PTVA123501FC1R0
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N-Channel
Si
150 mA
105 V
100 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
17 dB
350 W
Screw Mount
H-37248-2
Reel
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PTVA123501FC-V1-R250
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941-PTVA123501FC1R2
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N-Channel
Si
150 mA
105 V
100 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
17 dB
350 W
Screw Mount
H-37248-2
Reel
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PTVA127002EV-V1-R250
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941-PTVA127002EV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Detalles
N-Channel
Si
105 V
100 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
16 dB
700 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-36275-4
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC210552FC-V1-R0
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941-PXAC210552FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Dual N-Channel
Si
65 V
380 mOhms
1.805 GHz to 2.17 GHz
17.2 dB
55 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37248-4
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC210552FC-V1-R2
MACOM
250:
$59.556
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Detalles
Dual N-Channel
Si
65 V
380 mOhms
1.805 GHz to 2.17 GHz
17.2 dB
55 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37248-4
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R0
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50:
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Dual N-Channel
Si
65 V
30 mOhms
1.805 GHz to 1.88 GHz
16 dB
420 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37275G-6/2
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R2
MACOM
250:
$161.818
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Detalles
Dual N-Channel
Si
65 V
30 mOhms
1.805 GHz to 1.88 GHz
16 dB
420 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37275G-6/2
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD214218FV-V1-R0
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50:
$173.221
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAD214218FV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Dual N-Channel
Si
65 V
90 mOhms
2.11 GHz to 2.17 GHz
16 dB
430 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37275G-6/2
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC191507FC-V1-R0
MACOM
50:
$84.233
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
N-Channel
Si
65 V
50 mOhms
1.805 GHz to 1.99 GHz
20.5 dB
150 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37248G-4/2
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC191507FC-V1-R250
MACOM
250:
$76.729
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R2
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MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Detalles
N-Channel
Si
65 V
50 mOhms
1.805 GHz to 1.99 GHz
20.5 dB
150 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37248G-4/2
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXFC192207FH-V3-R250
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$115.104
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N.º de artículo de Mouser
941-PXFC192207FH3R2
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MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Detalles
N-Channel
Si
65 V
30 mOhms
1.805 GHz to 1.99 GHz
20.5 dB
220 W
+ 225 C
SMD/SMT
H-37288G-4/2
Reel