MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
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Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 859 MHz to 960 Mhz 17.5 dB 480 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
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N-Channel Si 600 mA 105 V 70 mOhms 920 MHz to 960 MHz 19 dB 630 W Screw Mount HB2SOF-6-1 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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N-Channel Si 105 V 160 mOhms 746 MHz to 821 MHz 22.5 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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N-Channel Si 105 V 120 mOhms 755 MHz to 805 MHz 23.6 dB 370 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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N-Channel Si 105 V 160 mOhms 869 MHz to 960 MHz 22 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Dual N-Channel Si 105 V 2.8 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 19.5 dB 25 W + 225 C SMD/SMT SON-16 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
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N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 400 mOhms 2.3 GHz to 2.4 GHz 14.3 dB 50 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 400 mOhms 2.3 GHz to 2.4 GHz 14.3 dB 50 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
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Dual N-Channel Si 10 mA 65 V 50 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 21 dB 28 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 21 dB 28 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288 No en existencias
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Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Si 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel