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MASTERGAN2TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN2TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN2TR
Price: 6617 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-MASTERGAN2TR

Fabricante N.º:

MASTERGAN2TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.617	$6.617
	$5.091	$50.910
	$4.707	$117.675
	$4.293	$429.300
	$4.096	$1.024.000
	$3.968	$1.984.000
	$3.870	$3.870.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$3.496	$10.488.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MASTERGAN2

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$12.358

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	10 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	3.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	15 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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MASTERGAN2TR Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.