Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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5.811En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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3.429En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 155 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET
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1.972En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET
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1.958En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Comentarios de Producto
2.510En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET
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1.963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
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1.727En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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3.953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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3.941En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
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4.982En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch
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1.750En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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2.430En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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1.964En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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680En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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4.586En existencias
MouseReel Disponible
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: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 39 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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2.167En existencias
Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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936En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
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1.959En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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1.739En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET
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1.369En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Comentarios de Producto
4.170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 3A N-CH MOSFET
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1.988En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 11.5 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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8.034En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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2.896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
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3.689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 155 C 48 W Enhancement Tube