BSS138 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 15
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
Hoja de datos
1.108.175En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 N-CH LOGIC
Hoja de datos
875.452En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.3 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
160.625En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
Hoja de datos
164.032En existencias
156.000Se espera el 19-05-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
Comentarios de Producto
260.168En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
108.164En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
Hoja de datos
8.196En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 1.4 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 50V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
5.917En existencias
9.000Se espera el 12-02-2027
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V 200mW
Hoja de datos
4.406En existencias
628.406En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.280
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
7.793En existencias
10.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
Hoja de datos
Comentarios de Producto
49.643En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300mW 50V DSS
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1.482.485En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
Hoja de datos
471.916En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 280 mA 2.1 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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377.345En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Ch Enh FET 20Vgss 300Pd 200mA
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95.840En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel