PJX138KR100001 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Hoja de datos
28.247En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT563 N-CH 50V .35A
Hoja de datos
N/A

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 8.000
Mult.: 8.000
Carrete: 8.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 50 V 350 mA 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel