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SQS174ELNW-T1_GE3

Name: Vishay SQS174ELNW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS174ELNW-T1_GE3
Price: 1822 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQS174ELNW-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQS174ELNW-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

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	$1.152	$11.520
	$768	$76.800
	$629	$314.500
	$615	$615.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$522	$1.566.000
	$518	$4.662.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8SLW
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	72 V
Id - Corriente de drenaje continua:	87 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	103 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	31 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.