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XPQR8308QB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR8308QBLXHQ
Price: 6496 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-XPQR8308QBLXHQ

Fabricante N.º:

XPQR8308QB,LXHQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L-TOGL N-CH 80V 350A

Ciclo de vida:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.496	$6.496
	$4.536	$45.360
	$3.674	$367.400
	$3.259	$1.629.500
	$2.800	$2.800.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$2.789	$4.183.500
9.000	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	2-10AG1A
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	350 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	830 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	305 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	750 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	100 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	85 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	335 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	130 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.