XPJR6604PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJR6604PBLXHQ
XPJR6604PB,LXHQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 3.360

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$2.766 $2.766
$1.702 $17.020
$1.546 $154.600
$1.534 $767.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.310 $1.965.000
$1.299 $11.691.000
† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
530 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
128 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 54 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 42 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 152 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 73 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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