Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 59 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement AEC-Q101 DI050N04PT-AQ Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 68A, 150C, N, AEC-Q101
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 79 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 DI068N03PQ-AQ Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 80A, 150C, N
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.607 uC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement DI080N03PQ Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 65 V 80 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DI080N06PQ Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement DI110N15PQ Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.607 uC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement DI150N03PQ Reel