Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101 4.075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT PowerQFN 2x2 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 DI010N03PW-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N 912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252AA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 25.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement DI020N06D1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N 3.419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement DI035N10PT Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101 1.718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 DI035N10PT-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P 1.118En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement DI035P04PT Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101 5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 2 Channel 45 V 38 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement AEC-Q101 DI038N04PQ2-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101 5.005En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 DI040N03PT-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N 777En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 50 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement DIT050N06 Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N 973En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 65 V 90 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.9 V 94 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement DIT090N06 Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 80V, 95A, 175C, N 744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 95 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.9 V 109 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement DIT095N08 Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N 1.121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement DIT100N10 Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 80V, 120A, 175C, N 269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement DIT120N08 Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N 735En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 38 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement DIT150N03 Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPR247 500V 36A N-CH MOSFET
469Se espera el 19-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Super-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
227Se espera el 11-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
240Se espera el 03-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3D Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 20 A 9.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 P-Channel 1 Channel 30 V 28 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DI028P03PT Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252AA-4 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement DI030N03D1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 2 Channel 45 V 38 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement DI038N04PQ2 Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 53 nC - 55 C + 150 C 16 W Enhancement DI045N03PT Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N, AEC-Q101 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 53 nC - 55 C + 150 C 16 W Enhancement AEC-Q101 DI045N03PT-AQ Reel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 48 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement DI048N04PQ2 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT PowerQFN 3x3 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 59 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement DI050N04PT Reel