HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
300Se espera el 19-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 74 Amps 200V 0.034 Rds
Hoja de datos
600Se espera el 29-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 107 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
Hoja de datos
300Se espera el 24-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
300Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
Hoja de datos
298Se espera el 25-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
258Se espera el 25-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
300Se espera el 15-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
300Se espera el 12-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Hoja de datos
650Se espera el 22-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V
Hoja de datos
690En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
300Se espera el 23-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Hoja de datos
80Se espera el 23-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id14 BVdass800
Hoja de datos
240Se espera el 10-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
89Se espera el 03-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 254 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A
Hoja de datos
300Se espera el 10-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 14A N-CH POLAR3
Hoja de datos
28Se espera el 10-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V
Hoja de datos
196Se espera el 19-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V
Hoja de datos
300Se espera el 27-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 50A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 850V 14A N-CH HIPER
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube