Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
STF18NM80
STMicroelectronics
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511-STF18NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
403 En existencias
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$8.446
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
250 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
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511-STB28N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1.882 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
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- 25 V, 25 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
170 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD5N60M2
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511-STD5N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
6.550 En existencias
1
$1.748
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$585
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.5 A
1.4 Ohms
- 25 V, 25 V
3 V
8.5 nC
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
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STI28N60M2
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511-STI28N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1.848 En existencias
1
$3.405
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
135 mOhms
- 25 V, 25 V
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+ 150 C
170 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
STP18NM80
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511-STP18NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
921 En existencias
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$8.302
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
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511-STL10N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1.767 En existencias
1
$2.413
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
600 V
5.5 A
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8.8 nC
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48 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60M2
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511-STL33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
1.617 En existencias
1
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
21.5 A
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150 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
2.794 En existencias
1
$2.669
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$839
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3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
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- 25 V, 25 V
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB33N60M2
STMicroelectronics
1:
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N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1.387 En existencias
1
$4.898
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$2.290
1.000
$2.014
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Mult.: 1
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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26 A
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
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STW18NM80
STMicroelectronics
1:
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676 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
676 En existencias
1
$8.783
10
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100
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
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3 V
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Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
STB18NM80
STMicroelectronics
1:
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488 En existencias
1.000 Se espera el 28-12-2026
N.º de artículo de Mouser
511-STB18NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
488 En existencias
1.000 Se espera el 28-12-2026
1
$5.552
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1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
295 mOhms
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190 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
STD7NM80
STMicroelectronics
1:
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708 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
708 En existencias
1
$4.550
10
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500
$2.004
1.000
$1.840
2.500
$1.840
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
STFW38N65M5
STMicroelectronics
1:
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87 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
87 En existencias
1
$6.493
10
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100
$3.548
600
$3.170
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL9N60M2
STMicroelectronics
1:
$2.301
209 En existencias
3.000 Se espera el 25-05-2026
N.º de artículo de Mouser
511-STL9N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
209 En existencias
3.000 Se espera el 25-05-2026
1
$2.301
10
$1.472
100
$1.001
500
$800
1.000
$757
3.000
$720
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
600 V
4.8 A
860 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
STP18NM60N
STMicroelectronics
1:
$3.466
913 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
913 En existencias
1
$3.466
10
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100
$1.462
500
$1.268
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
STU8N80K5
STMicroelectronics
1:
$2.986
400 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU8N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
400 En existencias
1
$2.986
10
$1.401
100
$1.268
500
$1.074
1.000
$1.033
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
950 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB40N60M2
STMicroelectronics
1:
$6.012
970 Se espera el 23-04-2026
N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
970 Se espera el 23-04-2026
1
$6.012
10
$4.039
100
$2.904
500
$2.863
1.000
$2.699
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
34 A
88 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
STP8N80K5
STMicroelectronics
1:
$2.996
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
$2.996
10
$1.472
100
$1.329
500
$1.104
1.000
$1.063
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
950 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
STF7NM80
STMicroelectronics
1.000:
$2.065
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
STI33N60M2
STMicroelectronics
1.000:
$1.544
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
45.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube