MOSFET de potencia para aplicaciones específicas

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
450En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
690En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
25En existencias
1.000Se espera el 15-06-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
45En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
246En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Hoja de datos
8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
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Comentarios de Producto
2.955Se espera el 13-08-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel