TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds; 20V Vgs TO-263
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 2.88 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 214 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 80 V 42.8 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 44.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.4A
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Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 8 A 31.2 mOhms - 20 V, 16 V 2.2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 30 V 37.8 A 8.4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
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Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 20 V 52 A 4.7 mOhms - 8 V, 12 V 1.6 V 22 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 45.3 A 1.35 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 162 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 1.7 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 150 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 12.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
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5.990En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 2.15 mOhms - 12 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SCD-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 4.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 53 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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20.923En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SH N-Channel 1 Channel 40 V 16.4 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 50.1A
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 181.8 A 1.31 mOhms - 12 V, 16 V 1 V 57 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24A
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 4.3 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 10 nC - 55 C + 150 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 90A 250W
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 257 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 79.4 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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39.023En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30.6 A 8.7 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 14.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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5.876En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 3.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 41.5 nC - 40 C + 150 C 56.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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4.696En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 9 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 112 nC - 55 C + 150 C 39.1 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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73.220En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7.3 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 31 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212SCD-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 1.2 mOhms - 12 V, 16 V 1 V 93 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 108 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement TrenchFET