TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Resultados: 335
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806 12.702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-0806-3 N-Channel 1 Channel 12 V 500 mA 340 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 710 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs TO-263 590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 212 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 80V 150A 271En existencias
10.400Se espera el 06-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 2.47 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 151.2 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET 809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs TO-220AB 585En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.79 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 195 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB 628En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 212 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SC89-6 7.579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.02 A 142 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 6 nC - 55 C + 150 C 240 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ 8.638En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 25 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC 156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 16 V, 20 V 800 mV 102 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) 125En existencias
15.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 137 A 2.88 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L 189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.35 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 104 nC - 55 C + 150 C 36.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8 3.083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 56.8 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV 143En existencias
6.000Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 830 uOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 220 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 801En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 2.05 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 77 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 3.168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.6 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 24.1 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 4.221En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 33 A 6 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 14.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 2.810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 780 uOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 125 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 195En existencias
9.000Se espera el 12-07-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 620 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 125 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 4.404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.6 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 25 nC - 55 C + 150 C 34.7 W TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 10.2A 27En existencias
6.000Se espera el 05-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 33.7 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S 1.789En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38.3 A 6 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 19.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 1.233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S 8.980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH 1.512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 4.9 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 30 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 20V (D-S) 1.615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 20 V 210 A 920 uOhms - 8 V, 12 V 1.5 V 81 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel