3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.

Tipos de Semiconductores discretos
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GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET 756En existencias
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SiC MOSFETS SiC
GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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120Se espera el 21-07-2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2