GC50MPS33H

GeneSiC Semiconductor
905-GC50MPS33H
GC50MPS33H

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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$242.299 $2.422.990

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Navitas Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
3.3 kV
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Tube
Marca: GeneSiC Semiconductor
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.