MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NTBG040N120SC1
onsemi
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NTBG040N120SC1

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863-NTBG040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

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Cinta cortada

$22.149

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NVHL020N120SC1
onsemi
1: $55.067
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NVHL020N120SC1

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863-NVHL020N120SC1

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MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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$55.067

$42.341

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: $22.527
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NTH4L040N120SC1

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863-NTH4L040N120SC1

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
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NVHL160N120SC1

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$14.250

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TO-247-3

N-Channel

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1.2 kV

17 A

224 mOhms

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4.3 V

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+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

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NTH4L020N120SC1
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TO-247-4

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102 A

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- 15 V, + 25 V

4.3 V

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+ 175 C

510 W

Enhancement

EliteSiC

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NVBG080N120SC1
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$12.768

$8.855

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SMD/SMT

D2PAK-7

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1.2 kV

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4.3 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

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NVH4L020N120SC1
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NVH4L020N120SC1

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TO-247-4

N-Channel

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102 A

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- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

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510 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

NTBG160N120SC1
onsemi
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NTBG160N120SC1

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$8.761

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$5.427

$5.132

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$5.132

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SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

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1.2 kV

19.5 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

33.8 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

EliteSiC

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NTH4L160N120SC1
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4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NTHL160N120SC1
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$10.201

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TO-247-3

N-Channel

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1.2 kV

17 A

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- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

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119 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

NTHL040N120SC1
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1: $21.412
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NTHL040N120SC1

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- 15 V, + 25 V

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106 nC

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+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

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NVH4L080N120SC1
onsemi
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679En existencias

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NVH4L080N120SC1

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863-NVH4L080N120SC1

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$13.388

$8.045

$8.035

$7.435

$7.036

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TO-247-4

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1 Channel

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29 A

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- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

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170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

NTHL080N120SC1A
onsemi
1: $14.555
1.185En existencias

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NTHL080N120SC1A

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863-NTHL080N120SC1A

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

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$14.555

$8.803

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

178 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

NVHL080N120SC1
onsemi
1: $17.731
1.182En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVHL080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL080N120SC1

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

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1.182En existencias

$17.731

$12.578

$12.073

$11.390

$10.748

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

178 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART

NVH4L160N120SC1
onsemi
1: $14.051
181En existencias

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NVH4L160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L160N120SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART

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181En existencias

$14.051

$8.403

$8.024

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17.3 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART

NVH4L040N120SC1
onsemi
1: $29.510
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L040N120SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART

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224En existencias

$29.510

$19.719

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V

NTBG020N120SC1
onsemi
1: $40.974
2.184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG020N120SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V

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Cinta cortada

$40.974

$30.993

$30.983

$29.342

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$29.342

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

98 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

468 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NTHL020N120SC1
onsemi
1: $39.112
706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

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706En existencias

$39.112

$28.900

$28.848

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

NTBG080N120SC1
onsemi
1: $14.902
462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

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462En existencias

Cinta cortada

$14.902

$10.433

$8.561

$8.035

Envase tipo carrete

$8.035

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

NVBG020N120SC1
onsemi
1: $54.951
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBG020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVBG020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

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84En existencias

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$54.951

$44.592

$42.225

Envase tipo carrete

$42.225

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Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

98 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

468 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

NVBG160N120SC1
onsemi
1: $13.693
624En existencias
800Se espera el 22-09-2026

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NVBG160N120SC1

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863-NVBG160N120SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

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624En existencias

800Se espera el 22-09-2026

Cinta cortada

$13.693

$9.528

$7.667

$7.151

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$7.151

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19.5 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

33.8 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

NVHL040N120SC1
onsemi
1: $28.974
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL040N120SC1

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863-NVHL040N120SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

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205En existencias

$28.974

$21.465

$19.225

$18.994

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

NTH4L080N120SC1
onsemi
1: $13.746
183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

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183En existencias

$13.746

$8.277

$7.194

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

NVH4L060N090SC1
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NVH4L060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L060N090SC1

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MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

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14En existencias

$21.255

$13.293

$12.799

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 10 V, + 19 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NVBG040N120SC1
onsemi
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NVBG040N120SC1

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

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