Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

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Resultados: 34

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

IRLR7843TRPBF
Infineon Technologies
1: $851
5.586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLR7843TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLR7843TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

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5.586En existencias

Cinta cortada

$851

$749

$592

$568

Envase tipo carrete

$482

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

161 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.046
16.231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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16.231En existencias

Cinta cortada

$3.046

$1.949

$1.333

$1.105

Envase tipo carrete

$893

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $459
13.517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Hoja de datos

13.517En existencias

Cinta cortada

$459

$284

$179

$134

Envase tipo carrete

$89,6

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

ISA220280C03LMDSXTMA1
Infineon Technologies
1: $750
468En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISA220280C03LMDSXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISA220280C03LMDS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

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468En existencias

Cinta cortada

$750

$589

$439

$345

Envase tipo carrete

$226

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

DSO-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

8.1 A, 8.4 A

22 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

8.9 nC, 7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl

IRLMS1503TRPBF
Infineon Technologies
1: $739
5.895En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLMS1503TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLMS1503TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl

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5.895En existencias

Cinta cortada

$739

$454

$291

$221

Envase tipo carrete

$164

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.2 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.374
1.065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$2.374

$1.523

$1.051

$890

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Envase tipo carrete

$660

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

IRLML2803TRPBF
Infineon Technologies
1: $448
65.663En existencias
465.050En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML2803TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

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65.663En existencias

465.050En pedido

Cinta cortada

$448

$272

$171

$128

Envase tipo carrete

$91,8

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.2 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg

IRF7862TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.646
7.456Se espera el 16-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7862TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7862TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg

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7.456Se espera el 16-02-2026

Cinta cortada

$1.646

$1.035

$696

$552

Envase tipo carrete

$419

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: $986
Plazo de entrega 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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Plazo de entrega 15 Semanas

Cinta cortada

$986

$767

$653

$627

Envase tipo carrete

$504

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

30V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 A
1.5 A
2.7 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.6 A
4.6 A
4.7 A
4.7 A, 3.5 A
4.9 A
5.1 A
5.3 A
6.5 A
7.3 A, 5.3 A
8.1 A, 8.4 A
9.1 A, 11 A
10 A
14 A
18 A

1.95 mOhms
2.6 mOhms
3.04 mOhms
3.2 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5.1 mOhms
5.3 mOhms
6.8 mOhms
7.5 mOhms
8.7 mOhms
14 mOhms
17.1 mOhms, 11.5 mOhms
22 mOhms, 28 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
46 mOhms
50 mOhms

1 nC
2.3 nC
2.6 nC
3.3 nC
6.4 nC
6.7 nC, 14 nC
8.1 nC
8.9 nC, 7.2 nC
12 nC
14 nC, 12 nC
15 nC
16.7 nC
17 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC
29 nC