Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
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SPA15N60C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
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SPW47N60C3
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47 A

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Enhancement

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SPW32N50C3
Infineon Technologies
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SPW32N50C3

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726-SPW32N50C3

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$4.816

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SPP07N60C3XKSA1
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SPP07N60C3XKSA1

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1 Channel

600 V

7.3 A

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- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

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SPP11N60C3XKSA1
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SPP11N60C3XKSA1

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726-SPP11N60C3XKSA1

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CoolMOS

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SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: $4.499
395En existencias
NRND

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SPB11N60C3

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726-SPB11N60C3

NRND

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

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45 nC

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125 W

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CoolMOS

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SPP20N60C3XKSA1
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1: $4.509
601En existencias
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SPP20N60C3XKSA1

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726-SPP20N60C3XKSA1

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

20.7 A

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- 20 V, 20 V

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87 nC

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208 W

Enhancement

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
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372En existencias

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SPW16N50C3

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$2.495

$2.464

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16 A

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160 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPA11N60C3
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436En existencias
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SPA11N60C3

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726-SPA11N60C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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$3.691

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$1.687

$1.483

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TO-220FP-3

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1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

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+ 150 C

33 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.460
211En existencias
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SPP24N60C3XKSA1

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726-SPP24N60C3XKSA1

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$3.211

$3.180

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240 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
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SPA07N60C3

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726-SPA07N60C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

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$1.483

$1.329

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600 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.057
917En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

917En existencias

Cinta cortada

$3.057

$1.984

$1.370

$1.155

$1.145

Envase tipo carrete

$1.074

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N65C3
Infineon Technologies
1: $3.384
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 11 Semanas

$3.384

$1.687

$1.523

$1.196

$1.125

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.253
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPI21N50C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPI21N50C3XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$4.253

$2.188

$1.984

$1.748

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

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