Resultados: 359
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 5.229En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 15.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2.425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 16.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 1.256En existencias
45.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13.5 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 1.164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive) 1.825En existencias
3.000Se espera el 23-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2.675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 5.620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET 2.862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 95 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 7 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 P-CH 20V 3A 5.974En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 75 mOhms - 12 V, 12 V 2 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -1.5A(Id), (4.0V Drive) 2.082En existencias
3.000Se espera el 15-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -2A Small Signal MOSFET 2.438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 2.5A(Id), (2.5V, 4.0V Drive) 3.505En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET 1.606En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 98 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.0A(Id), (4.0V Drive) 1.245En existencias
3.000Se espera el 19-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 9.016En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3.5A Middle Power MOSFET 3.081En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 30V 4A 1.465En existencias
3.000Se espera el 07-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 3.509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.5A(Id), (2.5V Drive) 3.139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6.5 A 18.1 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 12.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 7Ad Si MOSFET 1.032En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 16.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V 2.5A Small Signal MOSFET 245En existencias
3.000Se espera el 08-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 45 V 2.5 A 130 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 60V 3A 3.668En existencias
5.500Se espera el 10-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -12V -4.5A Small Signal MOSFET 2.400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.5 A 30 mOhms 8 V 1 V 40 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive) 3.525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 12 V 5 A 26 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V Drive Nch MOSFET 3.000En existencias
3.000Se espera el 26-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 20 V 5 A 30 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel