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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 62 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5V DRIVE MOSFET PCH Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.5 A 22 mOhms 40 nC 1 W Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 250V 33A Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 33 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 80 nC - 55 C + 150 C 211 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 80A(Id), (4.5V Drive)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31.1 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Middle Power MOSFET Series (Single Type), halogen free and external plating Sn100%
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 56 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Reel