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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 12 A 235 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 107 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 250 V 5 A 1.36 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 28.1A(Id), (4.5V Drive)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 80A Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 N-Channel 1 Channel 60 V 1.5 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 7A Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 500V 9A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9 A 840 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 500V 11A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 500V 16A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 325 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 46 nC + 150 C 50 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 44 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC + 150 C 50 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 600V 12A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 15A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 600V 20A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube