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NVTFWS1D9N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS1D9N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS1D9N04XMTAG
Price: 1162 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VTFWS1D9N04XMTAG

Fabricante N.º:

NVTFWS1D9N04XMTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Ciclo de vida:

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NVTFWS1D9N04XMTAG Hoja de datos (PDF)

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	$1.162	$1.162
	$762	$7.620
	$632	$63.200
	$607	$303.500
	$601	$601.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$562	$843.000
	$533	$1.599.000
	$525	$4.725.000
24.000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	141 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	74 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	81 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	NVTFWS1D9N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns

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NVTFWS1D9N04XMTAG Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS1D9N04XM MOSFET

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET offers a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 141A continuous drain current, and 1.9mΩ at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET is housed in an µ8FL 3.3mm x 3.3mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.