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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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PSMN N-Channel 30V MOSFETs
Nexperia PSMN N-Channel 30V MOSFETs feature NextPowerS3 technology that delivers low RDSon and low IDSS leakage in an LFPAK package. The LFPAK package provides high reliability and is qualified for 175°C. These MOSFETs include best-in-class Safe Operating Area (SOA). The PSMN MOSFETs have low leakage of less than 1μA at 25°C and are optimized for 4.5V gate drive. These MOSFETs feature -55°C to 175°C, both junction temperature and storage temperature. The Nexperia PSMN MOSFETs are ideal for hot-swap, power OR-ing, battery protection, brushed and BLDC motor control, and synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications.