PSMN N-Channel 30V MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel 30V MOSFETs feature NextPowerS3 technology that delivers low RDSon and low IDSS leakage in an LFPAK package. The LFPAK package provides high reliability and is qualified for 175°C. These MOSFETs include best-in-class Safe Operating Area (SOA). The PSMN MOSFETs have low leakage of less than 1μA at 25°C and are optimized for 4.5V gate drive. These MOSFETs feature -55°C to 175°C, both junction temperature and storage temperature. The Nexperia PSMN MOSFETs are ideal for hot-swap, power OR-ing, battery protection, brushed and BLDC motor control, and synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 150A
Hoja de datos
4.535En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 300A
Hoja de datos
4.128En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 25V 150A
Hoja de datos
1.488En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 150 A 1.81 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 17 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 380A
Hoja de datos
15En existencias
3.000Se espera el 18-01-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 30V 300A
Hoja de datos
4.500Se espera el 08-02-2027
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 30 V 380 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 30V 160A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 160 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 300A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 30 V 300 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 157 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement Reel