EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
Hoja de datos
1.922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 200A
Hoja de datos
1.346En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 200A
Hoja de datos
1.945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 180A
Hoja de datos
2.085En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 180A
Hoja de datos
1.922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 160A
Hoja de datos
1.890En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 160A
Hoja de datos
1.935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
Hoja de datos
1.385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement