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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
496En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC
Hoja de datos
978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
2.763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
1.757En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
1.915En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
855En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
Hoja de datos
766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
Hoja de datos
369En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement