SCT3030AW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT3030AW7TL
SCT3030AW7TL

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC

Modelo ECAD:
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En existencias: 978

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$29.423 $29.423
$27.483 $274.830
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$27.483 $27.483.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
650 V
70 A
39 mOhms
- 4 V, + 22 V
5.6 V
104 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tiempo de caída: 21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 9.4 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 22 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 27 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Alias de las piezas n.º: SCT3030AW7
Peso de la unidad: 1,600 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.