Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.985
13.803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

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726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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13.803En existencias

Cinta cortada

$4.985

$2.608

$2.345

$2.040

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Envase tipo carrete

$1.788

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC110N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.598
4.795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC110N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC110N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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4.795En existencias

Cinta cortada

$2.598

$1.672

$1.136

$961

Ver

Envase tipo carrete

$764

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.045
4.601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

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4.601En existencias

Cinta cortada

$8.045

$4.322

$3.965

$3.807

$3.597

Envase tipo carrete

$3.597

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.066
6.575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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6.575En existencias

Cinta cortada

$9.066

$4.932

$4.533

$4.459

$4.217

Envase tipo carrete

$4.217

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP022N12NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $8.193
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N.º de artículo del Fabricante
IPP022N12NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP022N12NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.493En existencias

$8.193

$4.407

$4.049

$3.639

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

203 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC032N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.343
3.475En existencias

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ISC032N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC032N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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3.475En existencias

Cinta cortada

$5.343

$3.544

$2.514

$2.198

$2.093

Envase tipo carrete

$2.072

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.576
10.246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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10.246En existencias

Cinta cortada

$3.576

$2.335

$1.620

$1.315

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Envase tipo carrete

$1.199

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC078N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.523
6.705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC078N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC078N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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6.705En existencias

Cinta cortada

$3.523

$2.293

$1.588

$1.294

Ver

Envase tipo carrete

$1.167

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

85 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.734
16.696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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16.696En existencias

Cinta cortada

$2.734

$1.346

$1.209

$963

Envase tipo carrete

$777

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB022N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.055
342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB022N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB022N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

342En existencias

Cinta cortada

$9.055

$6.163

$4.522

$4.480

Envase tipo carrete

$4.154

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

120 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC026N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.772
50En existencias
3.600Se espera el 29-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC026N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC026N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

50En existencias

3.600Se espera el 29-12-2026

Cinta cortada

$7.772

$5.248

$3.818

$3.492

Envase tipo carrete

$3.429

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

222 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.267
52En existencias
3.600Se espera el 03-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTG017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

52En existencias

3.600Se espera el 03-09-2026

Cinta cortada

$7.267

$4.890

$3.544

$3.323

$3.113

Envase tipo carrete

$3.113

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.099
7En existencias
15.000Se espera el 28-01-2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

7En existencias

15.000Se espera el 28-01-2027

Cinta cortada

$7.099

$4.270

$3.145

$2.797

Ver

Envase tipo carrete

$2.493

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC320N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.935
43En existencias
5.000Se espera el 10-08-2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC320N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC320N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

43En existencias

5.000Se espera el 10-08-2027

Cinta cortada

$1.935

$1.167

$795

$643

Envase tipo carrete

$530

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.261
25.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

25.000En pedido

Cinta cortada

$2.261

$1.462

$977

$775

Ver

Envase tipo carrete

$591

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.809
7.495Se espera el 31-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

7.495Se espera el 31-12-2026

Cinta cortada

$1.809

$1.115

$733

$575

Ver

Envase tipo carrete

$374

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $1.294
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB133N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB133N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

$1.294

$1.262

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $2.808
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB035N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB035N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

$2.808

$2.734

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

120 V

138 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

246 W

Enhancement

Reel

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