Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC110N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.444
5En existencias
5.000Se espera el 13-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC110N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC110N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

5En existencias

5.000Se espera el 13-08-2026

Cinta cortada

$2.444

$1.544

$1.043

$849

Ver

Envase tipo carrete

$675

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.174
14.655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

14.655En existencias

Cinta cortada

$5.174

$3.384

$2.526

$2.117

Ver

Envase tipo carrete

$1.840

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.149
17.923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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17.923En existencias

Cinta cortada

$3.149

$2.035

$1.391

$1.135

Ver

Envase tipo carrete

$985

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP022N12NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $7.975
1.591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP022N12NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP022N12NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.591En existencias

$7.975

$5.337

$4.284

$3.814

$3.374

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

203 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.229
4.752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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4.752En existencias

Cinta cortada

$7.229

$4.836

$3.885

$3.456

$3.067

Envase tipo carrete

$3.067

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC026N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.241
1.250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC026N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC026N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.250En existencias

Cinta cortada

$8.241

$5.797

$4.693

$4.172

$3.691

Envase tipo carrete

$3.691

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

222 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.738
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

297En existencias

Cinta cortada

$6.738

$4.417

$3.251

$2.883

$2.566

Envase tipo carrete

$2.566

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC032N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.818
3.646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC032N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC032N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3.646En existencias

Cinta cortada

$5.818

$3.814

$2.802

$2.495

$2.219

Envase tipo carrete

$2.219

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.937
5.996En existencias
5.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

5.996En existencias

5.000Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$3.937

$2.556

$1.800

$1.503

Ver

Envase tipo carrete

$1.309

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC078N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.630
6.745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC078N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC078N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

6.745En existencias

Cinta cortada

$3.630

$2.362

$1.656

$1.391

Ver

Envase tipo carrete

$1.207

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

85 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB022N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.476
402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB022N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB022N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

402En existencias

Cinta cortada

$8.476

$5.675

$4.560

$4.049

Envase tipo carrete

$3.589

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

120 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.437
225En existencias
7.200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

225En existencias

7.200En pedido

Cinta cortada

$9.437

$6.452

$5.317

$4.734

$4.438

Envase tipo carrete

$4.438

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.474
369En existencias
1.800Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTG017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

369En existencias

1.800Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$7.474

$5.000

$4.018

$3.568

$3.170

Envase tipo carrete

$3.170

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC320N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.045
136En existencias
5.000Se espera el 01-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC320N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC320N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

136En existencias

5.000Se espera el 01-07-2026

Cinta cortada

$2.045

$1.258

$834

$655

Ver

Envase tipo carrete

$451

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.088
5.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

5.000En pedido

Cinta cortada

$3.088

$1.994

$1.360

$1.104

Ver

Envase tipo carrete

$964

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.137
7.495Se espera el 15-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

7.495Se espera el 15-10-2026

Cinta cortada

$2.137

$1.339

$883

$700

Ver

Envase tipo carrete

$547

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $1.074
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB133N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB133N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

$1.074

$1.033

$1.005

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $2.413
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB035N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB035N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

$2.413

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

120 V

138 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

246 W

Enhancement

Reel

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