Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.698
7.057En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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7.057En existencias

Cinta cortada

$6.698

$4.570

$3.427

$3.270

Envase tipo carrete

$2.710

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP022N12NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $7.146
919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP022N12NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP022N12NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

919En existencias

$7.146

$3.853

$3.573

$2.990

$2.934

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

203 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.826
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3.600Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

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1.027En existencias

3.600Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$8.826

$6.093

$6.082

$4.670

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Envase tipo carrete

$3.942

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC026N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.078
1.678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC026N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC026N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.678En existencias

Cinta cortada

$7.078

$5.107

$5.096

$3.942

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Envase tipo carrete

$3.214

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

222 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.978
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IPTG017N12NM6ATMA1

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726-IPTG017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Cinta cortada

$6.978

$4.682

$3.382

$3.349

Envase tipo carrete

$2.755

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.667
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N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

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2.215En existencias

5.000Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$5.667

$3.696

$3.091

$3.013

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Envase tipo carrete

$2.318

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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ISC032N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.648
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ISC032N12LM6ATMA1

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726-ISC032N12LM6ATMA

Infineon Technologies

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Hoja de datos

5.443En existencias

Cinta cortada

$4.648

$3.315

$3.203

$2.486

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Envase tipo carrete

$1.915

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.872
4.914En existencias
10.000Se espera el 16-02-2026

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ISC037N12NM6ATMA1

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726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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4.914En existencias

10.000Se espera el 16-02-2026

Cinta cortada

$4.872

$3.214

$2.307

$2.117

Envase tipo carrete

$1.680

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.618
5.584En existencias
4.800Se espera el 09-04-2026

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ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

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5.584En existencias

4.800Se espera el 09-04-2026

Cinta cortada

$3.618

$2.352

$1.646

$1.400

Ver

Envase tipo carrete

$1.131

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC078N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.416
6.804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC078N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC078N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

6.804En existencias

Cinta cortada

$3.416

$2.218

$1.534

$1.288

Envase tipo carrete

$1.091

$1.049

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

85 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.016
11.892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

11.892En existencias

Cinta cortada

$2.016

$1.501

$1.176

$999

Ver

Envase tipo carrete

$857

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC110N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.859
5.186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC110N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC110N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

5.186En existencias

Cinta cortada

$1.859

$1.288

$899

$898

Ver

Envase tipo carrete

$588

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

15.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.968
6.870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

6.870En existencias

Cinta cortada

$2.968

$1.915

$1.310

$1.061

Envase tipo carrete

$896

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB022N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.235
402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB022N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB022N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

402En existencias

Cinta cortada

$7.235

$5.174

$3.830

Envase tipo carrete

$3.114

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

120 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC320N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $997
1.498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC320N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC320N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.498En existencias

Cinta cortada

$997

$718

$540

$488

Envase tipo carrete

$381

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.870
5En existencias
5.000Se espera el 01-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

5.000Se espera el 01-10-2026

Cinta cortada

$1.870

$1.187

$783

$617

$562

Envase tipo carrete

$477

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $2.094
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB035N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB035N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

$2.094

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

120 V

138 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

246 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1.000: $953
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB133N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB133N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

$953

$875

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Carrete: 1.000

Reel

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