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NTMFS0D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XMT1G
Price: 2654 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS0D7N04XMT1G

Fabricante N.º:

NTMFS0D7N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS0D7N04XMT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$1.165	$116.500
	$933	$466.500
	$820	$820.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$773	$1.159.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	323 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	700 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	72.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	134 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.32 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	244
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.12 ns
Serie:	NTMFS0D7N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	39.1 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25.8 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS0D7N04XM Single N-Channel Power MOSFET is a standard 40V gate level power MOSFET with leading on-resistance for motor driver applications. The lower on-resistance and gate charge can reduce conduction and driving losses. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without an extra snubber circuit in an application.