Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVB190N65S3F

Name: onsemi NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVB190N65S3F
Price: 5378 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NVB190N65S3F

Fabricante N.º:

NVB190N65S3F

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET,190M

Hoja de datos:

NVB190N65S3F Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVB190N65S3F

En existencias: 1.520

Existencias:: 1.520 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.378	$5.378
	$3.568	$35.680
	$2.546	$254.600
	$2.249	$1.124.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$2.188	$1.750.400
	$2.096	$5.030.400

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	162 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperFET III
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	43 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Peso de la unidad:	4 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVB190N65S3F Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

SUPERFET III® 650V N-Channel MOSFET

onsemi SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFET is ideal for various power systems for miniaturization and higher efficiency. The device utilizes charge balance technology for low on-resistance and lower gate-charge performance. The technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFETs are ideal for automotive onboard chargers and DC/DC converters for hybrid electric vehicles.