Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STP20NM60FD STMicroelectronics 1: $7.519 4.256En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4.256En existencias	$7.519 $5.252 $4.682 $4.272 $4.215	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	54 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STB20NM50FDT4 STMicroelectronics 1: $6.972 1.900En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STB20NM50FDT4 N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50FD NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	1.900En existencias	Cinta cortada $6.972 $4.568 $4.193 $3.896 Envase tipo carrete $3.782 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	5 V	38 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II STP11NM60ND STMicroelectronics 1: $6.710 415En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STP11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	415En existencias	$6.710 $3.463 $2.871 $2.803 $2.381	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR STF10NM60ND STMicroelectronics 1: $2.996 944En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STF10NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STF10NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	944En existencias	$2.996 $1.504 $1.356 $1.333 $1.253	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	600 mOhms	25 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STP20NM50FD STMicroelectronics 1: $9.741 708En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM50FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM50FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	708En existencias	$9.741 $5.298 $4.865 $4.512	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	56 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STW20NM50FD STMicroelectronics 1: $9.866 376En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW20NM50FD N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM50FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	376En existencias	$9.866 $5.776 $5.674 $5.150	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	53 nC	- 65 C	+ 150 C	214 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STW20NM60FD STMicroelectronics 1: $8.795 630En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	630En existencias	$8.795 $4.625 $4.249 $3.896	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	37 nC	- 65 C	+ 150 C	214 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A STF11NM60ND STMicroelectronics 1: $6.471 62En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante STF11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	62En existencias	$6.471 $3.384 $2.917 $2.552 Ver $2.506 $2.484	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	4 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II STD11NM60ND STMicroelectronics 1: $5.685 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante STD11NM60ND N.º de artículo de Mouser 511-STD11NM60ND NRND	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $5.685 $2.939 $2.894 $2.632 Envase tipo carrete $2.449 Ver $2.541 $2.347 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	450 mOhms	25 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	FDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel

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