TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and Rg tested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 5 A 103 mOhms, 180 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V, 1 V 9 nC, 9.4 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel
Hoja de datos
9.978En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A, 5.7 A 17 mOhms, 33 mOhms - 20 V, 25 V 2.5 V 16 nC, 21 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel
Hoja de datos
7.552En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 6.6 A, 8.2 A 98 mOhms, 168 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.6 nC, 9.6 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
5.091En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 5.4 A, 4 A 28 mOhms, 73 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20.8 nC, 9.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
6.209En existencias
12.000Se espera el 13-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TDFN22-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 11.6 A, 9 A 17 mOhms, 48 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV, 450 mV 9.1 nC, 9.8 nC - 55 C + 150 C 6.25 W, 6.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 15A, -30V, 13A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 15 A, 13 A 16 mOhms, 37 mOhms - 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V 1 V, 2.5 V 14 nC, 21.5 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel