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NTBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D7N10MCTXG
Price: 7602 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBLS1D7N10MCTXG

Fabricante N.º:

NTBLS1D7N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:

NTBLS1D7N10MCTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$5.189	$51.890
	$3.968	$396.800
	$3.732	$3.732.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$3.703	$7.406.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	272 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	115 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	295 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	220 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	38 ns
Serie:	NTBLS1D7N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	76 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	48 ns

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NTBLS1D7N10MCTXG Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS1D7N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS1D7N10MC Single N-Channel MOSFET has a low R_DS(on) and minimizes conduction losses, ensuring efficient power management. The onsemi NTBLS1D7N10MC boasts low Qg and capacitance, enhancing switching speed and reducing energy dissipation. Including a softer recovery diode further contributes to improved performance by minimizing switching noise and potential electromagnetic interference. The NTBLS1D7N10MC is Pb-free, aligning with modern manufacturing standards and regulations.