PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low RDSon and low gate charge.  These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
10.736En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 91 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 29 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
674En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 64 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.440En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
683En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.284En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 77.9 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
149En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 57 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.038En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 41 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R0-30YL/SOT669/LFPAK
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No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36.6 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 79 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 24 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel