Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 15.135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL 2.435En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel