Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.192
6.505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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6.505En existencias

Cinta cortada

$1.192

$737

$493

$383

$318

Envase tipo carrete

$295

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.260
14.785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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14.785En existencias

Cinta cortada

$1.260

$795

$526

$423

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Envase tipo carrete

$325

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPG20N04S418AATMA1
Infineon Technologies
1: $1.428
2.689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S418AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2.689En existencias

Cinta cortada

$1.428

$899

$597

$472

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Envase tipo carrete

$374

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.536
13.772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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13.772En existencias

Cinta cortada

$1.536

$982

$674

$540

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Envase tipo carrete

$451

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.285
3.778En existencias
25.000Se espera el 09-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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3.778En existencias

25.000Se espera el 09-07-2026

Cinta cortada

$2.285

$1.467

$1.004

$799

Ver

Envase tipo carrete

$726

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.313
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

$4.313

$2.866

$2.029

$1.920

$1.743

Envase tipo carrete

$1.743

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1: $5.790
533En existencias
1.800Se espera el 12-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

533En existencias

1.800Se espera el 12-03-2026

Cinta cortada

$5.790

$4.037

$2.915

$2.885

$2.698

Envase tipo carrete

$2.698

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L030HATMA1
Infineon Technologies
1: $2.383
7.617En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L030HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L030H

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Hoja de datos

7.617En existencias

Cinta cortada

$2.383

$1.526

$1.044

$850

$807

Envase tipo carrete

$753

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

119 A

3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.718
7.392Se espera el 19-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

7.392Se espera el 19-11-2026

Cinta cortada

$2.718

$1.763

$1.211

$995

Ver

Envase tipo carrete

$927

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.751
5.504Se espera el 16-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

5.504Se espera el 16-04-2026

Cinta cortada

$5.751

$3.850

$2.767

$2.718

$2.580

Envase tipo carrete

$2.541

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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