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NTBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D5N10MCTXG
Price: 8422 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBLS1D5N10MCTXG

Fabricante N.º:

NTBLS1D5N10MCTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD TOLL

Hoja de datos:

NTBLS1D5N10MCTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$8.422	$8.422
	$6.362	$63.620
	$4.962	$496.200
	$4.424	$4.424.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$4.413	$8.826.000
4.000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	312 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	131 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	322 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	230 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	71 ns
Serie:	NTBLS1D5N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	83 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	39 ns

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET has a low R_DS(on), ensuring efficient power management. The onsemi NTBLS1D5N10MC features a low Q_G and capacitance to enhance performance by minimizing charge/discharge times. This MOSFET significantly reduces switching noise and electromagnetic interference (EMI), contributing to a cleaner signal environment.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.