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IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 23307 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-DQ60R010S7AXTMA1

Fabricante N.º:

IPDQ60R010S7AXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos:

IPDQ60R010S7AXTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$23.307	$23.307
	$17.461	$174.610
	$15.557	$1.555.700
	$15.254	$7.627.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	$14.560	$10.920.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	318 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	694 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPDQ60R010S7A SP002063384

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V CoolMOS™ SJ S7A Power Device

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7A Power Device is a high voltage power MOSFET, designed as a static switch. The device was designed according to the Infineon Technologies' super-junction (SJ) principle. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation for low R_DS(on) in a QDPAK package. The S7A series is optimized for low-frequency switching and high current applications like circuit breakers.