LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel
Hoja de datos
3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel
Hoja de datos
2.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel
Hoja de datos
11.812En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel
Hoja de datos
1.501En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
Hoja de datos
41En existencias
3.000Se espera el 26-06-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel
Hoja de datos
2.938En existencias
3.000Se espera el 26-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
Hoja de datos
862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
Hoja de datos
8En existencias
3.000Se espera el 17-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
Hoja de datos
6.000Se espera el 17-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
Hoja de datos
2.645Se espera el 17-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape