Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: $1.493
5.994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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Cinta cortada

$1.493

$943

$625

$488

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$370

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: $2.515
5.900En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

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863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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5.900En existencias

Cinta cortada

$2.515

$1.452

$1.084

$892

$758

Envase tipo carrete

$758

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $1.748
2.970En existencias

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NVMYS5D3N04CTWG

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863-NVMYS5D3N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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2.970En existencias

Cinta cortada

$1.748

$1.084

$749

$590

$508

Envase tipo carrete

$464

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
1: $1.493
3.000En existencias

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NVMYS011N04CTWG

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863-NVMYS011N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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3.000En existencias

Cinta cortada

$1.493

$942

$624

$488

Envase tipo carrete

$437

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $1.677
3.344En existencias

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NVMYS021N06CLTWG

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863-NVMYS021N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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3.344En existencias

Cinta cortada

$1.677

$1.043

$687

$521

$450

Envase tipo carrete

$371

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: $1.452
1.411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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1.411En existencias

Cinta cortada

$1.452

$913

$604

$471

$428

Envase tipo carrete

$349

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: $2.127
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

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Cinta cortada

$2.127

$1.339

$878

$697

$620

Envase tipo carrete

$566

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $1.616
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3.000Se espera el 29-06-2026

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NVMYS7D3N04CLTWG

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863-NVMYS7D3N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

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3.000Se espera el 29-06-2026

Cinta cortada

$1.616

$1.019

$678

$532

Envase tipo carrete

$403

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
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NVMYS8D0N04CTWG

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863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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9.000En pedido

Cinta cortada

$1.830

$1.145

$752

$590

$518

Envase tipo carrete

$413

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $1.932
6.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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Cinta cortada

$1.932

$1.196

$782

$615

$526

Envase tipo carrete

$476

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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