Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

NVMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $1.198
2.970En existencias

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NVMYS5D3N04CTWG

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863-NVMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel

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$962

$671

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$468

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

NVMYS011N04CTWG
onsemi
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3.000En existencias

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NVMYS011N04CTWG

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863-NVMYS011N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel

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$887

$628

$500

$454

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$367

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
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NVMYS8D0N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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Cinta cortada

$526

$512

$478

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$464

$418

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $1.646
81En existencias
3.000Se espera el 26-06-2026

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NVMYS014N06CLTWG

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863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

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Cinta cortada

$1.646

$1.038

$689

$544

$491

Envase tipo carrete

$449

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $1.210
2.938En existencias
3.000Se espera el 26-05-2026

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NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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2.938En existencias

3.000Se espera el 26-05-2026

Cinta cortada

$1.210

$679

$564

$500

Envase tipo carrete

$368

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
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862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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862En existencias

Cinta cortada

$1.490

$935

$619

$483

$438

Envase tipo carrete

$383

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.8 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NVMYS6D2N06CLTWG
onsemi
1: $1.613
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS6D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Hoja de datos

8En existencias

Cinta cortada

$1.613

$1.165

$837

$674

$615

Envase tipo carrete

$542

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
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6.000Se espera el 17-04-2026
NRND

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NVMYS3D3N06CLTWG

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863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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Cinta cortada

$2.341

$1.568

$1.108

$913

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$740

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Mult.: 1

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: $1.546
3.000Se espera el 23-02-2026

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NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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3.000Se espera el 23-02-2026

Cinta cortada

$1.546

$972

$644

$544

$467

Envase tipo carrete

$419

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7.3 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel

NVMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $1.254
Plazo de entrega 19 Semanas

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NVMYS7D3N04CLTWG

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863-NVMYS7D3N04CLTWG

onsemi

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Plazo de entrega 19 Semanas

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$1.254

$912

$652

$538

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Min.: 1
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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

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AEC-Q101

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