ZXMN Enhancement Mode MOSFETs

The Diodes Inc. ZXMN Enhancement Mode MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs featuring low on-resistance, fast switching, and high avalanche withstand capability. The Diodes Inc. ZXMN MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications, including SLIC line drivers for VoIP applications, transformer driving switch, motor control, uninterrupted power supply, and more.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 60V N-Chnl UMOS
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1.479Se espera el 18-03-2026
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.4 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
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10.000Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.9 A 250 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel
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3.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.6 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 700 mV 8.2 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 18.4A
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7.500Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 2.500
Mult.: 2.500
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 18.4 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36.8 nC - 55 C + 150 C 10.1 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-26-6 N-Channel 2 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.1 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 60V
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 11.2 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24.2 nC - 55 C + 150 C 10.1 W Enhancement Reel