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DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 2643 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DI006H03SQ

Fabricante N.º:

DI006H03SQ

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Hoja de datos:

DI006H03SQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.210	$121.000
	$1.012	$506.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	$833	$3.332.000
	$808	$6.464.000
24.000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A, 4.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V, 2 V
Qg - Carga de puerta:	11.7 nC, 11.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Quad
Tiempo de caída:	8.7 ns, 13.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4 S, 3.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns, 4.9 ns
Serie:	DI0XX
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.5 ns, 28.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11.2 ns, 7.5 ns

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Hoja de datos

DI006H03SQ Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.