NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE SMARTFET

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.182 $1.182
$777 $7.770
$644 $64.400
$618 $309.000
$597 $597.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$583 $1.457.500

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 692 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 486 ns
Serie: NCV8406DD1CR2G
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 1600 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 127 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Controlador de baja tensión con doble autoprotección NCV8406DD

onsemi NCV8406DD Dual Self-Protected Low-Side Driver is a dual-protected low-side smart, discrete device with a temperature and current limit. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD, and integrated drain-to-gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.